V oceněném projektu podpořeném GA ČR se podařilo prokázat vysoký potenciál metody přímého měření magnetického pole pomocí Hallových senzorů, která by mohla nahradit stávající, poněkud zastaralou a náročnou metodu testu kvality elektrotechnických ocelí. Tyto oceli jsou využívány pro výrobu elektromotorů a transformátorů v průmyslovém odvětví.
Alexandr Stupakov nyní působí v Oddělení optických a biofyzikálních systémů Fyzikálního ústavu Akademie věd ČR, které se zabývá výzkumem funkčních tenkých vrstev a heterosturktur, což je aktuálně velmi významné a perspektivní téma jak z hlediska základního výzkumu, tak i aplikačního potenciálu. Jedná se převážně o nano-vrstvy, jejichž optické a elektrické vlastnosti mohou být pomocí moderních technologií upravovány ve velkém rozsahu. Z hlediska potenciálních aplikací použití takových materiálů by mohlo způsobit i průlom v moderní nanoelektronice, jelikož materiály s potřebnými vlastnostmi pro integraci do nano-obvodu by bylo možno „ušít přímo na míru“. Pro výzkum piezoelektrických vlastností takto navrhovaných nano-vrstev se v letošním roce výzkumnému týmu oddělení podařilo získat jedinečný systém na bázi moderních a velice citlivých interferometrů.
Doktor Stupakov výstupy z oceněného projektu publikoval ve čtrnácti článcích v impaktovaných mezinárodních časopisech. Jeho druhý projekt GA ČR, věnovaný studiu magnetického Barkhausenova šumu, přinesl stejný počet publikací. Celkově je autorem či spoluautorem více než 45 článků, které byly publikovány v odborných uznávaných časopisech, spadajících do oboru magnetizmu a materiálových věd. V nově podávaném projektu se soustředí na elektrické, magnetické a optické vlastnosti nano-vrstev perovskitů, které budou optimalizovány změnou podmínek pulzní laserové depozice, změnou složení, dopováním, nebo vlivem napětí způsobeným odlišnou mřížkovou konstantou substrátu. Základním cílem tohoto projektu je kontrola elektrických vlastností těchto vrstev, zejména fázového přechodu Mottova typu mezi kovem a izolantem. Komplexní výzkum tohoto elektrického přechodu by mohl otevřít vývoj zcela nového odvětví mikroelektroniky.